我们都知道,美光32L和64L 3D NAND产品采用CuA (CMOS under the Array)架构,表示其内存数组效率达85%,较其他3D NAND产品的效率(约 60-70%)更高,例如三星3D 48L V-NAND的效率为70.0%。同样地,XPoint内存数组中的储存组件由于位于金属4和金属5之间,使得晶粒的内存效率可达到91.4%。换句话说,所有的CMOS电路,如驱动器、译码器、位线存取、本地数据以及地址控制,均位于与3D NAND的CuA架构相似的内存组件下方。图2显示英特尔XPoint与市场上现有3D NAND产品的内存效率比较。 20170626-3D-4图4:内存数组效率的比较