镁光 M4 256GB的读写速度怎么样

镁光Crucial M4（256GB）的读写速度怎么样

　　镁光Crucial M4（256GB）读出：415MB/s，写入：260MB/s,这个速度在固态硬盘里面也是可圈可点的高速了，但是根据官方查证这款硬盘使用的依然是MLC NAND芯片，不过不不太清楚使用的是谁生产的颗粒。可能是由于主控的品质不错加上使用了10块以上的闪存颗粒才到达的这个速度。

　　固态硬盘的数据处理能力很大程度上由其采用的主控芯片和闪存颗粒的品质决定的，但是还有一个更加可观的现实问题。需要了解一下固态硬盘的工作原理，固态硬盘是由主控芯片，硬盘缓存颗粒和闪存颗粒组成的。主控芯片控制这所有的数据该如何存储，存储在那一块颗粒上。这个决定了硬盘的反应速度，闪存颗粒分MLC和SLC。SLC的速度高于MLC，但是MLC价格相对便宜。

　　下面简单的阐述一下基于闪存的固态硬盘

　　 SLC 和MLC分别是是Single Layer Cell 单层单元和Multi-Level Cell多层单元的缩写，SLC的特点是成本高、容量小、速度快，而MLC的特点是容量大成本低，但是速度慢。MLC的每个单元是2bit的，相对SLC来说整整多了一倍。不过，由于每个MLC存储单元中存放的资料较多，结构相对复杂，出错的几率会增加，必须进行错误修正，这个动作导致其性能大幅落后于结构简单的SLC闪存。

　　储单元分为两类：SLC（Single Level Cell 单层单元）和MLC（Multi-Level Cell多层单元）。此外，SLC闪存的优点是复写次数高达100000次，比MLC闪存高10倍。此外，为了保证MLC的寿命，控制芯片都校验和智能磨损平衡技术算法，使得每个存储单元的写入次数可以平均分摊，达到100万小时故障间隔时间(MTBF)。

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